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其次是小米14Ultra,根据网上曝光的消息,该机型后置也配备了四颗5000万像素的摄像头,其中主摄是LYT-900传感器,实力也不差。
三星S24Ultra在长焦方面反向升级,等于是放弃争夺“影像机皇”称号,将这一位置让给了国产旗舰?目前来看,OPPOFindX7Ultra、小米14Ultra和vivoX100Pro+这三部机型最有实力争夺。
最后是vivoX100Pro+,还没发布,据说主摄镜头也是LYT-900,同时还有一颗2亿像素的潜望长焦镜头,最高支持10倍光学变焦,应该是今年拍得最远的旗舰了。
第三种方式:相比第三种方式更多一道工序,即堆叠封装,需要攻克几个技术课题。国内有1-2家专业厂商可以从事这种工作:
诸如UMC和GlobalFoundries等产线可以完成CoW部分的制造,即前道interposer,工艺节点基本在65nm(这两家的工艺节点微缩到14nm就停止了,没有先进制程);因此这类厂商即不能代工前道的先进工艺logic和interposer,也不能完成一条龙的CoWoS全栈。
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另外,HBM走线长度短、焊盘数高,在PCB甚至封装基板上无法实现密集且短的连接,因此还需要CoWoS等2.5D先进封装技术来实现。
倘若某些受限的国内厂商需要HBM,而不能获得SK海力士的合同供货和集成定制,则可以从现货市场采购,其它国内厂商也可以效仿,即直接从现货渠道采购HBM颗粒,进而再适配控制器、适配I/O和逻辑封装。
对于OSAT专业封装厂(包括Amkor/日月光等),导致工艺良率拉升缓慢的因素还有就是与前段interposer的分开制造,虽然CoW+WoS是合理的产业链分工,但是拉升两者共同出品的良率需要两家工艺同步发展。
国内厂商SwaySure、长鑫都在自主研发HBM,前者进度更快。二者都有来自*的研发高管,DRAM颗粒没问题,但目前没有产品化的SKU,HBM则可能要期待2025年或更长时间。
可委托由UMC/GF生产interposer,随后再送交Amkor或日月光等OSAT产线,委托完成“WoS”部分;
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通过从现货市场采购2D-DRAM颗粒,再通过TSV垂直方向通孔、HybridBonding键合的封装工艺实现堆叠出一个HBM器件。
HBM全称为HighBandwidthMemory,即高带宽内存,与常规的DDRDRAM不同,HBM是将很多个DDRDRAM芯片堆叠在一起,然后与GPU/GPU封装在一起,实现大容量、高带宽、低延迟的DDRDRAM组合阵列。
出于微缩IC面积,CoWoS的方法就是在Substrate上面增加一层Siinterposer,芯片依然通过覆晶方式正面朝下连接在这个中介层上;它就承担die-die互连以及die-substrate互连。
